ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF

Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 100 nC

Paquete / Cubierta: TO3P

SGT40N60NPFD Transistor IGBT + Diode 40Amp 600v

$6.000,00

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SGT40N60NPFDPN

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Código de marcado: 40N60NPFD

Polaridad de transistor: N